路透社：美国正计划限制中国闪存芯片 三星躺枪 

手机、电脑等硬件设备都需要用到闪存芯片，2020年，闪存市场的产值突破560亿美元，我国进口芯片超过2.4万亿元，7000亿用于进口存储芯片，其中1300亿是闪存芯片。近日，路透社报道，美国正考虑限制中国制造128层堆叠以上的NANDFlash闪存芯片，限制对象包括长江存储，以此限制中国的半导体产业发展。

消息人士透露，如果美国确定采取该项计划，将对三星、SK海力士的闪存工厂造成影响。据悉，三星在中国拥有两家大型的NANDFlash工厂，SK海力士此前收购了英特尔旗下在中国的NANDFlash制造业务。还有人表示，美国将禁止向中国出口用于制造128层堆叠以上NANDFlash闪存芯片设备。

值得一提的是，长江存储已成功量产128层NANDFlash，正积极研发232层NANDFlash，或将于年底量产。美国白宫在去年6月发布的一份报告中指出，长江存储的低价战略将对美国企业构成直接威胁。目前，美国商务部指控长江存储向华为畅享20e提供NAND闪存芯片，违反美国的出口禁令。